根据国务院《实施〈中华人民共和国促进科技成果转化〉若干规定》（国发〔2016〕16号）和《桂林理工大学科技成果转化管理办法》(桂理工科〔2024〕3号)等相关文件的规定，经团队申请、科技成果转移转化中心审核同意，现对5项发明专利所有权转让情况予以公示：
一、项目简介：
专利信息（一）
专利名称：高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法
专利号：ZL201711299592.1
专利权人：桂林理工大学
发明人：苏聪学; 覃杏柳; 陈军奇; 方亮
专利类型：发明专利
法律状态：已授权
专利简介：本发明公开了一种高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为Sr3La2xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.6，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1270℃～1290℃下烧结良好，介电常数为29.4～33.7，其品质因数Qf值高达107000139000GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了Sr3La2xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.6陶瓷具有良好的微波介电性能。
专利信息（二）
专利名称：六方钙钛矿结构微波介质陶瓷材料及其制备方法
专利号：ZL201711299584.7
专利权人：桂林理工大学
发明人：苏聪学; 覃杏柳; 张志伟; 方亮
专利类型：发明专利
法律状态：已授权
专利简介：本发明公开了一种六方钙钛矿结构微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为ASr3LaM4O15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1230℃～1260℃下烧结良好，介电常数为30.4～31.9，其品质因数Qf值高达4370059100GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了B位缺位型六方钙钛矿结构的ASr3LaM4O15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)陶瓷具有良好的微波介电性能。
专利信息（三）
专利名称：超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法
专利号：ZL201711299585.1
专利权人：桂林理工大学
发明人：苏聪学; 覃杏柳; 张志伟; 苏启武
专利类型：发明专利
法律状态：已授权
专利简介：本发明公开了一种高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为Ba3La2xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.55，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1240℃～1260℃下烧结良好，介电常数为31.8～34.3，其品质因数Qf值高达94000126000GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了Ba3La2xGa1+xM3O15(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.55陶瓷具有良好的微波介电性能。
专利信息（四）
专利名称：中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法
专利号：ZL201711299591.7
专利权人：桂林理工大学
发明人：苏聪学; 郑彬宁; 张志伟; 覃杏柳
专利类型：发明专利
法律状态：已授权
专利简介：本发明公开了一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为ALa4Ti3MO15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B2O5)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1230℃～1260℃下烧结良好，介电常数为44.3～45.7，其品质因数Qf值高达3520047700GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了B位缺位型六方钙钛矿结构的ALa4Ti3MO15(A＝Na，K；M＝Nb，Ta)陶瓷具有良好的微波介电性能。
专利信息（五）
专利名称：一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法
专利号：ZL202010368673.8
专利权人：桂林理工大学
发明人：苏聪学; 敖来远; 方亮
专利类型：发明专利
法律状态：已授权
专利简介：本发明公开了一种硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法。该微波介质陶瓷材料成分为Li2CO3、Yb2O3、SiO2，所述微波介质陶瓷材料成分按LiYbSiO4化学计量比进行配比。本发明采用传统的固相反应烧结法，制备方法简单，烧结温度较低。制备得到的硅基温度稳定型微波介质陶瓷材料在不需要添加改性材料的情况下，获得近零的谐振频率温度系数。通过本发明方法制备的LiYbSiO4陶瓷具有良好的微波介电性能：εr范围为7.36～7.42，品质因数Qf的范围为19081～25276GHz，谐振频率温度系数为+4.52ppm/℃～+8.03ppm/℃。
二、拟交易价格
转让费：壹万元整（1万元）
三、价格形成过程
经全体发明人同意，并与贺州市星辉科技有限公司协商，双方同意以上成果以协议定价壹万元整（1万元）实施转让。
特此公示，公示期15日，自2025年11月27日起至2025年12月11日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向学校科技成果转移转化中心反映。
联系人：张老师、李老师
联系电话：0773-3690262
科学技术研究院
2025年11月27日
