• 首页
  •   >   通知公告
  •   >   正文
  • 首页

    桂理工科转2026[03]号:关于“一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法”等3项专利所有权转让的公示

    发布日期:2026-01-08    作者:     浏览次数:

    根据国务院《实施〈中华人民共和国促进科技成果转化〉若干规定》(国发〔2016〕16号)和《桂林理工大学科技成果转化管理办法》(桂理工科〔2022〕7号)等相关文件的规定,经团队申请、科技成果转移转化中心审核同意,现对3项发明专利所有权,实施转让情况予以公示:

    一、项目简介:

    专利信息

    (一)专利名称:一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法

    专利号:ZL2023111308335

    专利权人:桂林理工大学

    发明人:徐军古, 宋兴平

    专利类型:发明专利

    法律状态:已授权

    专利简介:本发明制备的极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料成本低廉,热稳定性和化学稳定性良好,电学性能良好,名义组成为(La0.2Sm0.2Nd0.2Gd0.2Ca0.2)2Mo2O8.8的高尚熵材料,作为新型电解质在固态氧化物燃料电池、电解池、氧传感器等领域具有很好的应用潜力

    (二)专利名称:一类稀土氧化物基高熵氧离子导体材料及其制备方法

    专利号:ZL2023111294084

    专利权人:桂林理工大学

    发明人:徐军古, 田曼

    专利类型:发明专利

    法律状态:已授权

    专利简介:本发明涉及一系列名为组成为(DyxErxYbxLuxMe1-x)2O3-δ(Me=Zr4+、Mg2+、Ca2+、Ba2+)具有稀土氧化物基氧离子导体材料。其热稳定性和化学稳定性良好,电学性能良好,作为新型电解质在固态氧化物燃料电池、电解池、氧传感器等领域具有很好的应用潜力。

    (三)专利名称:一类氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法

    专利号:ZL2023111273618

    专利权人:桂林理工大学

    发明人:徐军古, 田曼

    专利类型:发明专利

    法律状态:已授权

    专利简介:本发明涉及一系列名为组成为(Bi2O3)0.95-x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05(x=0.1、0.2、0.3、0.4)的氧化铋基萤石结构的氧离子导体材料。其热稳定性和化学稳定性良好,电学性能良好,作为新型电解质在固态氧化物燃料电池、电解池、氧传感器等领域具有很好的应用潜力。

    二、拟交易价格

    转让:壹万柒仟元整(1.7万元)

    三、价格形成过程

    经全体发明人同意,并与四川超易宏科技有限公司协商,双方同意该成果以协议定价壹万柒仟元整(1.7万元)实施转让。

    特此公示,公示期15日,自2026年1月08日起至2026年1月22日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向学校科技成果转移转化中心反映。

    联系电话:0773-5896919,0773-3690262;联系人:张老师、闫老师。

    科技处

    2026年1月7日

    顶部

    Copyright © 2020 版权所有 桂林理工大学科学技术研究院